Phát triển pin mặt trời gốc siêu mỏng

Các nhà khoa học phát triển pin Mặt Trời gốc silicon chỉ dày 50 micromet mà vẫn có hiệu suất chuyển đổi năng lượng tốt.

Nhóm nghiên cứu tại Đại học Khoa học và Công nghệ Giang Tô (JUST), cùng với các đối tác từ Đại học Curtin (Australia) và công ty Trung Quốc LONGi Green Energy Technology, đã làm một bước đột phá trong lĩnh vực pin Mặt Trời bằng việc phát triển pin Mặt Trời gốc silicon với độ mỏng chỉ bằng tờ giấy A4, chỉ dày 50 micromet, nhưng vẫn giữ được hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao.

Pin Mặt Trời silicon hiện đang được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng năng lượng tái tạo, nhưng đa số đều là các tấm pin có cấu trúc dày và cứng, phù hợp với việc lắp đặt trên các mái nhà hoặc trên mặt đất. Tuy nhiên, các ứng dụng không gian, nơi cần các bề mặt cong và linh hoạt hơn, vẫn đang đối mặt với nhiều thách thức về công nghệ.

Việc làm mỏng pin silicon không chỉ giảm trọng lượng và chi phí sản xuất mà còn mở ra những cơ hội mới cho việc ứng dụng pin Mặt Trời trong các lĩnh vực di động. Tuy nhiên, mặc dù làm mỏng pin có thể làm giảm hiệu suất chuyển đổi năng lượng, nhóm nghiên cứu đã thành công trong việc nâng cao hiệu suất lên trên 26% cho các tấm pin có độ dày dao động từ 50 đến 130 micromet.

Sự phát triển của công nghệ này không chỉ là một bước tiến lớn trong lĩnh vực năng lượng tái tạo mà còn mở ra những tiềm năng mới trong việc sử dụng năng lượng Mặt Trời trong các thiết bị di động như drone, khí cầu, và thiết bị thông minh đeo trên người. Điều này có thể mang lại nhiều cơ hội mới cho việc sử dụng năng lượng tái tạo và giúp giảm bớt sự phụ thuộc vào nguồn năng lượng truyền thống.